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在汽車和工業(yè)應用中，由于硅基半導體性能的局限性， 功率電子中使用的半導體材料正逐漸從硅過渡到如碳 化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這類寬禁帶半導體。GaN 和SiC 支持更小、更快、更高效的設計。規(guī)制和經濟壓 力持續(xù)促使高壓功率電子設計的效率提高。在空間受限 和/ 或移動應用（例如電動汽車）中，更小、更輕的設計 的功率密度優(yōu)勢尤為明顯，而從系統(tǒng)成本降低的角度來 看，更緊湊的功率電子設備也普遍受到青睞。同時，隨著 政府推出財政激勵措施和更嚴格的能效規(guī)定，效率的重 要性日益增長。例如，歐盟的Eco-design 指令、美國能 源部2016 年效率標準、中國質量認證中心（CQC）標志 等全球實體發(fā)布的指南，都在管理電氣產品和設備的能 效要求。從電力生成到消耗的各個階段，功率電子都需 要實現(xiàn)更高的能效，如圖1 所示。功率轉換器在生成、 傳輸和消耗鏈的多個階段運作，由于這些操作沒有一個 是100% 高效的，因此每一步都會有一些功率損失。主 要由于熱能損失，這些效率的整體下降在整個周期中不 斷加劇。
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